Plateforme Emploi Argenteuil

H/F Ingénieur de recherches en développement de dispositifs de puissance innovants

Lieu : Villeneuve-d'Ascq
Contrat : CDD

Les missions du poste

• Mettre en œuvre et optimiser les procédés de microfabrication en salle blanche (dépôts, lithographie, gravure, traitements thermiques) pour la réalisation de dispositifs de puissance innovants.
• Planifier, exécuter et ajuster les séquences de fabrication en fonction des spécifications des composants et des contraintes matériaux.
• Interpréter les résultats expérimentaux, identifier les défauts ou dérives de procédé, et proposer des améliorations sur les étapes critiques de fabrication.
• Collaborer étroitement avec les collègues en caractérisation et matériaux afin d’établir des corrélations entre procédés, structures et performances des dispositifs.
• Contribuer à l’amélioration continue des protocoles de fabrication et au développement de nouveaux flux technologiques adaptés aux matériaux émergents.

Activités

Dans le cadre d’un projet bilatéral avec le partenaire industriel Soitec, notre groupe de recherche WIND cherche à recruter un ingénieur en procédés pour la fabrication de dispositifs à base de matériaux « grands gaps ». Ces dispositifs seront fabriqués dans la salle blanche de l’IEMN. Vous travaillerez en étroite collaboration avec des doctorants, post-doctorants et ingénieurs du projet afin de réaliser les livrables prévus.

Compétences

• Diplôme d'ingénieur ou doctorat requis
• Physique des composants à semi-conducteurs
• De la rigueur, de la minutie, de la flexibilité, de l'ouverture d'esprit, de l'esprit d'équipe et de l'autonomie sont quelques-unes des qualités recherchées pour ce poste
Outils : Maitrise du pack office (Word, Excel, power point), anglais technique

Contexte de travail

Le sujet s'inscrit dans le cadre des activités de l'équipe WIND. Ces activités sont réalisées en collaboration étroite avec un partenaire industriel. Elles visent à repousser les limites des composants hyperfréquences à base du matériau grand gap GaN en termes de performance et de fiabilité.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

Le sujet s'inscrit dans le cadre des activités de l'équipe WIND. Ces activités sont réalisées en collaboration étroite avec un partenaire industriel. Elles visent à repousser les limites des composants hyperfréquences à base du matériau grand gap GaN en termes de performance et de fiabilité.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.